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中芯国际7nm芯片传出新消息 与台积电差距曝光

     转载 · 罗斯巴德   2020-11-23 05:31 星期一
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中国企业中芯国际正朝着第三家掌握7nm工艺的代工厂商迈进,将会出现跟高工艺水平的芯片,同时,与台积电技术差距也显现。

中芯国际工厂

(中芯国际总部位于上海,今年5月曾主动从美股退市。)

智通财经网11月21日报道,据管理层透露,中芯国际14nm工艺芯片良率目前已达到了业界标准,意味着其所生产的芯片良率已达到95%。

截至目前,14nm工艺是芯片制造领域的一个分水岭,掌握14nm工艺节点的厂商只有台湾台积电、美国英特尔、韩国三星和中芯国际。中芯国际14nm工艺良率已达业界量产水准,在全球代工厂中规模仅次于台积电。

然而,正如公司管理层于业绩会上提到的,公司今年研发任务基本完成,即便FinFET取得成绩,但与世界一流晶圆厂水平还有很多差距和道路要走。

目前,中芯国际是全球仅有的6家掌握14nm工艺节点的厂商之一,是中国大陆具备完整成熟逻辑工艺制程、最先突破且唯一具备14nm生产能力的专业晶圆代工厂商。而到了7nm制程的角逐中,目前全球有能力提供7nm制程代工的厂商仅有三星和台积电。

其中,在先进制程上,台积电无疑是保持了在技术上最领先优势。目前台积电与三星均能够量产5nm芯片,但三星良率没有台积电高。除此之外,台积电4nm芯片预计在2021年开始正式批量生产,3nm将在2021年试产、2022年大批量产,而2nm芯片则预计在2024年量产。有消息称,苹果、英特尔等已经提前将3nm的芯片订单交给台积电。

在生产设备上,预计2020年交付35台EUV光刻机,2021年则会达到45台到50台。考虑到公共卫生事件影响,目前EUV设备最大年产量仅30台左右。EUV光刻机作为7nm以下芯片生产所不可或缺的设备,台积电已向ASML确认2020年至2021年订单,从目前情况来看,台积电为光刻设备的主要采购者,三星和英特尔则紧随其后。

目前,为实现技术上的突破,中芯国际开展N+1、N+2工艺战略追赶7nm制程工艺。其中,N+1工艺已进入客户导入产品认证阶段,已小量试产,相较14nm性能可提升20%,主要面向低功耗应用领域。该制程已较格芯的12nm和联电的14nm有所领先。

在这之后,中芯国际还有望于2021年推出N+2,面向高性能应用领域。据公司首席执行官梁孟松博士介绍,中芯国际在当前的环境下,N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺,等到设备就绪之后,N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。

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原文链接:https://www.bihai123.com.cn/news/ywkj/229271.html
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编译发布:罗斯巴德
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